Half{0}} Bridge Driver Chip

Half{0}} Bridge Driver Chip
Tuotteen esittely:
Puoli-siltaohjainpiiri on tehopuolijohdekäyttöpiirien ydinkomponentti, jota käytetään ensisijaisesti ohjaamaan kahta tehokytkentätransistoria, jotka on kytketty sarjaan puolisiltatopologiassa, tyypillisesti MOSFET- tai IGBT-piirissä. Tämä siru ohjaa kahden transistorin aikajaon{3}johtumista tehonsäädön ja energiansiirron saavuttamiseksi alavirran kuormaan, mikä tekee siitä välttämättömän avainsirun tehoelektroniikkalaitteissa, kuten hakkuriteholähteissä, moottorikäytöissä ja inverttereissä.
Lähetä kysely
Kuvaus
Tekniset parametrit
 
Half{0}}bridge-ohjainpiirin esittely
 

Puoli-siltaohjainpiiri on tehopuolijohdekäyttöpiirien ydinkomponentti, jota käytetään ensisijaisesti ohjaamaan kahta tehokytkentätransistoria, jotka on kytketty sarjaan puolisiltatopologiassa, tyypillisesti MOSFET- tai IGBT-piirissä. Tämä siru ohjaa kahden transistorin aikajaon{3}johtumista tehonsäädön ja energiansiirron saavuttamiseksi alavirran kuormaan, mikä tekee siitä välttämättömän avainsirun tehoelektroniikkalaitteissa, kuten hakkuriteholähteissä, moottorikäytöissä ja inverttereissä.

 

 
Half{0}}Bridge Driver Chipsin tekniset haasteet
 

Puoli{0}}siltatopologian luontaiset ominaisuudet edellyttävät, että Half-Bridge-ohjainsirulle on vastattava kahteen suureen tekniseen haasteeseen: Ensinnäkin olkavarren tehotransistorin kelluva maa-ajo-ongelma -olkavarren kytkimen lähde (emitteri) potentiaali muuttuu dynaamisesti alemman kiinteän virransyötön johtumisen ja katkaisun myötä, mikä tekee suorasta mahdottomaksi. Siksi useimmat puoli{5}}silta-ajurit integroivat käynnistysdiodeja, jotka yhdessä ulkoisten bootstrap-kondensaattorien kanssa tarjoavat kelluvan virtalähteen olkavarren ohjauspiirille. Korkeajännitesovelluksissa jotkin puoli-siltaohjaimet integroivat myös latauspumput tai tukevat eristettyä virtalähdettä mukautuakseen erilaisiin sovellusvaatimuksiin. Toiseksi on kysymys ylä- ja alavarren suojasta{10}}. Jos molemmat kytkentätransistorit johtavat samanaikaisesti, se aiheuttaa suoran oikosulun virtalähteeseen, mikä vahingoittaa laitteita. Siksi kaikki pätevät puoli-silta-ajurit ovat sisäänrakennettu-kuollut-aikaohjauslogiikka, ja ne sisältävät ylivirtasuojan, ylilämpötilasuojan ja alijännitteen lukitustoiminnot, jotka estävät oikosulkuviat laitteistotasolla ja parantavat järjestelmän luotettavuutta.

 

 
Puolien{0}}siltaohjainsirujen luokitus
 

Virtalähteen ja ohjauslogiikan erojen perusteella puoli{0}}siltaohjainpiirit voidaan jakaa kahteen luokkaan: itsenäiset puoli-siltaajurit ja integroidut ohjauspuoli-siltaohjaimet. Riippumattomat puoli{4}}siltaohjaimet integroivat vain kaksi ohjauskanavaa ja suojauslogiikan, mikä vaatii ulkoisen PWM-ohjaimen syöttämään kaksi toisiaan täydentävää ohjaussignaalia. Niillä on vahva sopeutumiskyky ja ne voidaan yhdistää erilaisiin pääohjauspiiriin, joita voidaan soveltaa joustavasti erilaisiin räätälöityihin piireihin. Integroidut ohjauspuoli-silta-ajurit integroivat PWM-luonnon ja takaisinkytkennän säätötoiminnot sirun sisällä, mikä yksinkertaistaa oheispiirien suunnittelua. Niitä käytetään enimmäkseen standardoiduissa, edullisissa, pienistä{9}}-keskitehoisissa sovelluksissa. Kestävyysarvojensa perusteella matalajännitteiset puoli{13}}siltaohjaimet on suunniteltu ensisijaisesti matala-jännitesovelluksiin alle 100 V:ssa. Näitä käytetään yleisesti matalajännitteisissä servomoottorikäytöissä, USB-PD-pikalatauspiireissä ja matalan{18}DC{19}{18}DC-muuntimissa. Keski-- ja korkea{22}}jännitteiset puoli{23}}siltaohjaimet puolestaan ​​kestävät satoja tai jopa tuhansia voltteja, joten ne sopivat korkeajännitesovelluksiin, kuten teollisuusinvertteriin, uusiin energiaajoneuvojen virtalähteisiin ja taajuusmuuntajiin.

 

 
Puoli{0}}siltaohjainsirun tietty mallinumero
 

UCC27302A on vankka porttiohjain, joka on suunniteltu ohjaamaan kahta N--kanavaista MOSFETiä puoli-silta- tai synkronisessa buck-kokoonpanossa absoluuttisella maksimibootstrap-jännitteellä 120 V. Sen 3,7 A huippulähde ja 4,5 A huippunieluvirta mahdollistavat UCC27302A:n ohjaamisen suuritehoisilla MOSFET:illä minimoiduilla kytkentähäviöillä Miller Plateaun läpi siirtymisen aikana. Kytkentäsolmu (HS-nasta) pystyy käsittelemään negatiivista transienttijännitettä, mikä mahdollistaa korkean-sivukanavan suojaamisen loisinduktanssin ja hajakapasitanssin aiheuttamilta luontaisilta negatiivisilta jännitteiltä.

 

Tulot ovat riippumattomia syöttöjännitteestä ja kestävät -10 V ja +20 V absoluuttiset maksimiarvot. Matalan-sivun ja ylä-sivuportin ajurit sovitetaan päälle- ja poiskytkennän välillä 4ns:iin, ja niitä ohjataan vastaavasti LI- ja HI-tulonastan kautta. Tulojen lukituslogiikka kuitenkin laskee molemmat ohjainlähdöt matalaksi aina, kun sekä LI- että HI-tulot ovat korkealla samanaikaisesti. On-sirun 120 V:n bootstrap-diodi eliminoi tarpeen lisätä erillisiä bootstrap-diodeja. Alijännitteen lukitus (UVLO) on saatavilla sekä ylä- että alapuolen ohjaimille, mikä mahdollistaa symmetrisen käynnistyksen ja sammutuksen ja pakottaa lähdöt matalaksi, jos taajuusmuuttajan jännite on määritetyn kynnyksen alapuolella.

 

 
Puoli{0}}siltaohjainpiirin parametrit
 

Bootstrapin syöttöjännite (max) (V)

120

Virtakytkin

MOSFET

Syöttöjännite (min) (V)

7

Syöttöjännite (max) (V)

17

Käyttölämpötila-alue ( astetta)

-40-150

Alijännitelukko (tyyppi) (V)

5

Luokitus

Luettelo

Levitysviive (µs)

0.02

Nousuaika (ns)

7.2

Syksyaika (ns)

5.5

Iq (mA)

0.001

Syöttökynnys

TTL

Kanavan syöttölogiikka

TTL

Kytkimen solmun jännite (V)

-20

Ominaisuudet

Ota käyttöön, Integroitu bootstrap-diodi, Lukitus, Negatiivisen jännitteen käsittely tulossa

Ohjaimen kokoonpano

Dual, ei-invertoiva, TTL-yhteensopiva

 

Suositut Tagit: half-bridge driver chip, Kiina half-bridge driver chip valmistajat, toimittajat

Lähetä kysely